ZAM (Z-Angle Memory)
ZAM(Z-Angle Memory)は、日本のSAIMEMORYが米Intelと共同で実用化を進める次世代DRAMベースのメモリー技術である。DRAMダイを水平に積み重ねる従来のHBM(広帯域メモリー)方式と異なり、ダイを縦に立てて並べる「垂直ビルド(Z-Angle)」構造と、配線を使わず磁界で接続する「磁界結合無線通信I/O」を組み合わせたことが特徴である。
構造
垂直ビルドではDRAMダイが基板上に寝ず、縦に立った 형태で配列される。ダイの広い面が露出するため積層内部に熱がこもる問題が緩和され、配線層が放熱を妨げて生じるHBMの積層数制約(約20層)を理論上取り除くことができるとSAIMEMORYは説明する。ホストダイとの接続には物理配線ではなく磁界結合(誘導結合)無線通信I/Oを用いる。
基盤技術 — Intel NGDB
ZAMの接合基盤技術は、Intelが米エネルギー省(DOE)・国家核安全保障局(NNSA)のAdvanced Memory Technology(AMT)プログラムのもと、Sandia・Lawrence Livermore・Los Alamos各国立研究所と進めたNext Generation DRAM Bonding(NGDB)イニシアチブである。2026年VLSI Symposium論文(Lu et al., SAIMEMORY)は、9層(DRAM 8層 × 1.125GB = 9GB + コントロール1層)、層あたりシリコン3µm、層ごとに金属リング2~3個と接する単一ビア(via-in-one)、フュージョンボンディング構造を報告した。
HBMとの比較
| 区分 | HBM | ZAM |
|---|---|---|
| ダイ配列 | 水平積層 | 垂直ビルド(ダイを立てて配列) |
| 接続方式 | TSVによる物理配線 | 磁界結合無線通信I/O(配線なし) |
| 積層制約 | 配線層の放熱で約20層が限界とされる | 理論上、積層数制約の解消を目標 |
| 状態 | AIデータセンター向けに量産供給中 | 試作 FY2027、実用化 FY2029 目標 |
年表
| 2024年12月 | SAIMEMORY設立(ソフトバンク100%子会社、東京) |
| 2026年2月 | IntelとZAM実用化の協業契約を締結 |
| 2026年4月 | NEDO研究開発助成事業に採択、シリーズA調達 |
| 2026年9月 | 新光電気工業と実装・製造技術の協業基本合意 |
| 2026年10月 | SkyeChipと設計・エンジニアリング契約 |
| FY2027(目標) | 試作品製作 |
| FY2029(目標) | 実用化 |
関連用語
HBM(広帯域メモリー) · DRAM · TSV(シリコン貫通電極) · ハイブリッドボンディング · SAIMEMORY
出典
- SAIMEMORY Corp., “SAIMEMORY and Intel Collaborate to Commercialize Next-generation Memory Technology”, Press Release, Feb 3, 2026.
- SAIMEMORY Corp., NEDO事業採択およびシリーズA調達の発表, Apr 22, 2026(垂直ビルド+磁界結合I/Oを明記).
- C.-L. Lu et al. (SAIMEMORY), “Multiple-Wafer (9-layer), Extreme thin (3µm-Si per stack) and Innovative Fusion-bonded Via-in-one Architecture for High Bandwidth 3D Memory”, VLSI Symposium 2026.
- Sandia National Laboratories, “From early R&D to mature technology”(NGDB断面写真, Photo provided by Intel).
- HPCwire, “New Details Emerge on ZAM, the HBM Killer”, May 4, 2026.
- SAIMEMORY Corp., 新光電気工業との協業基本合意, Sep 28, 2026.