ZAM (Z-Angle Memory)
ZAM(Z-Angle Memory)은 일본 SAIMEMORY가 미국 Intel과 공동으로 실용화를 추진하는 차세대 DRAM 기반 메모리 기술이다. DRAM 다이를 수평으로 겹쳐 쌓는 기존 고대역폭 메모리(HBM) 방식과 달리, 다이를 세로로 세워 나란히 배열하는 “수직 빌드(Z-Angle)” 구조와, 배선 없이 자기결합으로 신호를 주고받는 무선통신 I/O를 결합한 것이 특징이다.
구조
수직 빌드에서는 DRAM 다이가 기판 위에 눕지 않고 세로로 선 형태(standing die)로 배열된다. 다이의 넓은 면이 노출되므로 적층 내부에 열이 갇히는 문제가 완화되고, HBM에서 배선층이 방열을 막아 생기는 적층 수 제약(약 20층)을 이론상 제거할 수 있다고 SAIMEMORY는 설명한다. 호스트 다이와의 연결에는 물리 배선 대신 자기결합(유도결합) 무선통신 I/O를 사용한다.
기반 기술 — Intel NGDB
ZAM의 접합 기반 기술은 Intel이 미국 에너지부(DOE)·국가핵안보국(NNSA)의 Advanced Memory Technology(AMT) 프로그램 아래 Sandia·Lawrence Livermore·Los Alamos 국립연구소와 수행한 Next Generation DRAM Bonding(NGDB) 이니셔티브이다. 2026년 VLSI Symposium 논문(Lu et al., SAIMEMORY)은 9층(DRAM 8층 × 1.125GB = 9GB + 컨트롤 1층), 층당 실리콘 3µm, 층마다 금속 링 2~3개와 만나는 단일 비아(via-in-one), 퓨전 본딩 구조를 보고했다.
HBM과의 비교
| 구분 | HBM | ZAM |
|---|---|---|
| 다이 배열 | 수평 적층 (다이를 눕혀 쌓음) | 수직 빌드 (다이를 세워 나란히 배열) |
| 연결 방식 | TSV(실리콘 관통 전극) 물리 배선 | 자기결합 무선통신 I/O (배선 없음) |
| 적층 제약 | 배선층 방열 문제로 약 20층이 한계로 거론 | 이론상 적층 수 제약 제거를 목표 |
| 목표 | 세대별 대역폭·용량 확대 (양산 중) | 고밀도·고대역폭·저전력 동시 실현 (개발 중) |
| 상태 | AI 데이터센터에 양산 공급 중 | 시제품 FY2027, 실용화 FY2029 목표 |
연표
| 2024년 12월 | SAIMEMORY 설립 (SoftBank 100% 자회사, 도쿄) |
| 2026년 2월 | Intel과 ZAM 실용화 협업 계약 체결 |
| 2026년 4월 | NEDO 연구개발 지원사업 채택, Series A 조달 |
| 2026년 9월 | 신코전기공업(SHINKO)과 실장·제조 기술 협업 기본합의 |
| 2026년 10월 | SkyeChip과 설계·엔지니어링 계약 |
| FY2027 (목표) | 시제품 제작 |
| FY2029 (목표) | 실용화 |
관련 용어
HBM (High Bandwidth Memory) · DRAM · TSV (Through-Silicon Via) · 하이브리드 본딩 · SAIMEMORY
출처
- SAIMEMORY Corp., “SAIMEMORY and Intel Collaborate to Commercialize Next-generation Memory Technology”, Press Release, Feb 3, 2026.
- SAIMEMORY Corp., NEDO 사업 채택 및 Series A 조달 발표, Apr 22, 2026 (수직 빌드 + 자기결합 I/O 명시).
- C.-L. Lu et al. (SAIMEMORY), “Multiple-Wafer (9-layer), Extreme thin (3µm-Si per stack) and Innovative Fusion-bonded Via-in-one Architecture for High Bandwidth 3D Memory”, VLSI Symposium 2026.
- Sandia National Laboratories, “From early R&D to mature technology” (NGDB 단면 사진, Photo provided by Intel).
- HPCwire, “New Details Emerge on ZAM, the HBM Killer”, May 4, 2026.
- SAIMEMORY Corp., SHINKO와의 협업 기본합의 발표, Sep 28, 2026.